ROHM发布业界首创位置偏差检测功能无线供电接受控制IC
虽然是单芯片产品，但发热量更低，与以往产品相比，供电时的温升可降低约75%，缩减贴装面积的同时实现了低发热。不仅如此，搭载了业界首创的位置偏差检测功能，可检测位置偏差时的充电效率下降情况，因此，有助于提高设备的工作效率。
本产品计划于2013年11月开始出售样品（样品价格500日元），于2014年2月开始暂以月产50万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本浜松市），后期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）。
在移动设备市场，无线供电技术在为终端充电时无需使用电源线，有望提高设备连接器的防水及防尘性能，1个供电装置即可支持多种终端，因而备受关注。
但是，该技术却面临一个巨大的课题，即通过无线收发智能手机等5W级别的电力时会严重发热。
特点
1.单芯片，低发热
采用最先进的BiC-DMOS工艺，成功将MOSFET的导通电阻降到最低，虽为单芯片，发热量却更低，实现缩减贴装面积与低发热两者兼得。与以往产品相比，供电时的温升程度可降低约75%。
2.搭载业界首创的位置偏差检测功能，充电效率更高
给终端充电时，如果不将终端设备置于供电装置的中央，充电效率就会显著下降。位置偏差检测功能对于终端的位置偏差，可发出警报提示，有助于进一步提高充电效率。
WPC Qi标准 Low Power Ver1.1
最新的WPC Qi标准Low Power Ver1.1作为无线供电的国际标准于2012年4月制定完成。
与2010年最初制定的Low Power Ver1.0的不同之处在于，Ver1.1更关注安全性能的提升，新增了搭载FOD（异物检测功能）的义务要求。
ROHM已加盟成为最多由25家组成的WPC的正式成员，从日益普及的无线供电标准“Qi”的制定阶段就开始积极参与协商制定。
以极高安全性著称的FOD（Foreign Object Detection /异物检测功能）
FOD是最新的Qi标准所规定的有义务搭载的项目，金属物体存在于收发器之间时，金属发热可能导致机壳变形或烧伤，搭载FOD可防患于未然，使设备安全性能显著提高。
要想实现FOD，需要发送侧与接收侧复杂的对接技术，ROHM通过融合本公司的模拟技术与集团公司LAPIS Semiconductor的数字技术，使FOD得以实现。
实际上，接收侧进行功率损耗计算时，可通过外置电阻设定每个接收单元不同损耗误差的微调量，因此，实现了极具灵活性且高精度的FOD。
＜Qi标准的普及和开发路线图＞
随着无线供电市场的增长，Qi标准所支持的功率范围也日趋增大。
针对Qi标准的日益普及，ROHM计划充分发挥所拥有的集团内部的无线供电所必需的核心技术，进行数据发送用控制IC与市场日益增长的Medium Power（5W～）产品的开发。
支持Medium Power的无线供电用IC将于深圳会展中心举行的“第十五届中国国际高新技术成果交易会（ELEXCON2013）”ROHM展区展出（展位号：2号馆2B62）。欢迎莅临！
WPC（Wireless Power Consortium）
为制定与普及电子设备的无线供电技术相关的国际标准 “Qi”而设立的行业团体。
Qi标准
WPC提倡的正在日益普及的无线供电标准。目前，面向智能手机等小型移动设备的Low Power（～5W）标准为主要标准，为满足日益增长的市场需求，现正着力制定Medium Power（5W～）标准。
导通电阻
MOSFET工作时（通电时）的电阻值。其值越小功率损耗越少。
