IRF130价格分析

厂商：IR

类别：N通道功率MOSFET模块

绝对最大额定值

BVDSS：100V

RDS（on）：0.18Ω

连续漏极电流：TC= 25°C，14A；TC= 100°C，9A

脉冲漏极电流：56A

最大功耗（TC= 25°C）：75W

栅极-源极电压：±20V

单脉冲雪崩能量：75mJ

雪崩电流：14A

重复雪崩能源：7.5mJ

工作结温和存储温度：-55~150°C

重量（典型）：11.5g

封装类型：通孔

封装形式：TO-204AA/AE

HEXFET技术是国际整流器先进生产线中功率MOSFET晶体管的关键，它们适合于应用程序如开关电源、马达控制器、逆变器、斩波器、音频放大器和高能量脉冲电路。IRF130是100V、N渠道HEXFET晶体管，具有动态dv/dt评级、简单的驱动器要求、并联的易用性等特点，它最近的价格在7元-8元。