Vishay推出采用TurboFET技术第三代功率MOSFET

产品特性：

• 新产品包括两款20V 和两款30V n通道器件
• 首次采用TurboFET技术，栅极电荷降低多达 45%
• 超低的导通电阻与栅极电荷乘积
• 可选择以更高的频率工作
• 均无卤素，且 100% 通过 Rg 和 UIS 测试

应用范围：

• 笔记本电脑、稳压器模块
• 服务器及其他系统

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。

这次Vishay推出的20V 器件包括SiS426DN 和SiR496DP，其中SiS426DN器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 PowerPAK 1212-8 封装，可为此额定电压的设备提供最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于SiS426DN 而言，直流到直流转换器中针对 MOSFET 的此关键优值 (FOM) 在 4.5V 时为 76.6 m?-nC，而在 10 V 时为 117.60 m?-nC；它在 4.5V 栅极驱动时典型栅极电荷低至 13.2 nC，在 10V 栅极驱动时低至 28 nC。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5V 及 10V 时栅极电荷分别降低 45% 与 36%，FOM 降低 50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。

Vishay 的 30V TurboFET 系列包括采用 PowerPAK 1212-8 封装的新型 Si7718DN 和采用 PowerPAK SO-8 封装的 Si7784DP。两款 MOSFET 在 4.5V 和 10V 时典型栅极电荷分别为 13.7 nC 和 30 nC，且在 4.5V 和 10V 时导通电阻与栅极电荷乘积 FOM 分别为 112.34 m?-nC 和 180 m?-nC。采用 PowerPAK SO-8 封装的 20V SiS426DN 器件 SiR496DP 也可用于大电流应用。日前推出的所有器件均无卤素，且 100% 通过 Rg 和 UIS 测试。

这些器件将在同步降压转换器中用作高端 MOSFET，通过使用负载点 (POL) 功率转换有助于节省笔记本电脑、稳压器模块 (VRM)、服务器及其他系统的功耗。

器件规格表：

型号

SiS426DN

SiR496DP

Si7718DN

Si7784DP

封装

PowerPAK

1212-8

PowerPAK

SO-8

PowerPAK

1212-8

PowerPAK

SO-8

VDS

20

30

RDS（在 4.5 V 时）

5.8 m?

8.2 m?

RDS（在 10 V 时）

4.2 m?

6 m?

典型 QG（在 4.5 V 时）

13.2 nC

13.7 nC

典型 QG（在 10 V 时）

28 nC

30 nC

RDS(on) x QG @

VGS = 4.5 V

76.6 m?-nC

112.34 m?-nC

RDS(on) x QG @

VGS = 10 V

117.6 m?-nC

180 m?-nC

目前，采用 TurboFET 技术的第三代功率 MOSFET 可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。