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英飞凌推出光伏发电逆变器耐压1200V,SiC型FET


产品特性:
  • 耐压为1200V
  • 可实现装置的小型轻量化
适用范围:
  • 主要用途为光伏发电的逆变器装置

德国英飞凌科技(Infineon Technologies AG)开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET(JFET)“CoolSiC产品群”,并在2012年5月于德国举行的电源技术展会“PCIM Europe 2012”上宣布投产。尽管该公司此前向市场投放过使用SiC材料的肖特基势垒二极管,但此次是首次实现SiC制结型FET的产品化。SiC型FET将与专用驱动IC组合销售,2012年第二季度开始样品供货。

新产品的主要用途为光伏发电的逆变器装置。如果采用SiC型FET代替现有逆变器装置中使用的IGBT,便可实现装置的小型轻量化。这是因为新产品可实现高于IGBT的工作速度。也就是说,即便提高工作频率,也能降低开关损失。因此,电感器及电容器等被动元件可使用小型产品,所以能够实现整个装置的小型轻量化。

CoolSiC产品群备有导通电阻及封装方式不同的6款产品。分别为导通电阻为35mΩ、封装采用TO-247的“IJW120R035T1”,导通电阻为50mΩ、封装采用TO-247的“IJW120R050T1”,导通电阻为70mΩ、封装采用TO-247的“IJW120R070T1”、导通电阻为100mΩ、封装采用TO-247的“IJW120R100T1”,导通电阻为70mΩ的裸芯片“IJC120R070T1”,以及导通电阻为 100mΩ的裸芯片“IJC120R100T1”。价格方面,以IJW120R100T1为例,批量购买1000个时美国市场的参考单价预定为24.90 美元。 关键字:英飞凌 太阳能 逆变器 FET SiC  本文链接:http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80017157

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