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SiB800EDK:Vishay新款超小MOSFET+SBD器件


 产品特性:Vishay最小占位面积的MOSFET+肖特基二极管

  • 采用1.6mm×1.6mm 的热增强型PowerPAK SC-75 封装
  • 肖特基二极管在100 mA 时具有 0.32V 低正向电压
  • 将两个元件整合到一个封装中节省了空间
  • 较低的正向电压,降低了电平位移应用中的压降
  • 具有0.960?~0.225?的低导通电阻范围
  • 1.5 V 时的低导通电阻额定值
  • 具有ESD保护,并且无铅,无卤素,符合RoHS

应用范围:

  • 手机、PDA、数码相机
  • MP3 播放器及智能电话等便携式设备

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布推出业界最小的20V n 通道功率 MOSFET+肖特基二极管--- SiB800EDK,该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型PowerPAK SC-75 封装。这款新型器件的推出,意味着Vishay将其在100 mA 时具有 0.32V 低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1.5V 栅极驱动时规定的额定导通电阻的 MOSFET 进行了完美结合。

当便携式电子设备变得越来越小时,元件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积,Vishay的SiB800EDK 比采用 2mm×2mm 封装的器件小 36%,同时具有 0.75mm 的超薄厚度。Vishay此番将两个元件整合到一个封装中不仅节省了空间,而且包含沟槽肖特基二极管可保持较低的正向电压,从而降低了电平位移应用中的压降。

SiB800EDK 具有0.960?(1.5V VGS 时)~0.225?(4.5V VGS 时)的低导通电阻范围。1.5 V 时的低导通电阻额定值可使 MOSFET 与低电平时的信号一同使用。

该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备的 I2C 接口与升压转换器中的电平位移转换。

SiB800EDK 具有 ESD 保护,并且 100% 无铅(Pb),无卤素,以及符合 RoHS,因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。目前,新型 SiB800EDK 的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 10~12 周。
 

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