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士兰明镓SiC产线迎来新进展


10月23日,士兰微发布对外投资进展公告称,士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线,首个SiC器件芯片已投片成功,首批投片产品各项参数指标达到设计要求,项目取得了阶段性进展。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上,参数指标较好,继续完成评测,即将向客户送样。据悉,士兰明镓SiC功率器件生产线项目正在加快后续设备的安装、调试,目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。

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除了士兰明镓SiC功率器件生产线项目取得新进展外,士兰微还在10月14日宣布拟定增募资不超过65亿元,用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目(一期)和补充流动资金。士兰微后续在IGBT、SiC和车规级功率模块领域的发展将获得充足的产能保障。

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(协会秘书处)

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