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兆易创新推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash


【导读】中国北京(2023年5月16日) —— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度仅为0.4mm,容量高达128Mb,是目前业界在此容量上能实现的最小塑封封装产品,可在应对大容量代码存储需求的同时,提供极大限度的紧凑型设计自由。


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近年来,随着物联网、可穿戴、健康监护、网通等应用的快速发展,市场需求变化多样,不仅要在精致小巧的产品形态中提供丰富的功能,还要具有极低功耗,以保障产品的长时间工作。而SPI NOR Flash作为这些设备中重要的代码存储单元,需提供更小、更薄、更轻的产品选择来满足这些不断变化的应用需求。


GD25LE系列SPI NOR Flash是兆易创新旗舰型低功耗产品,此次新推出的3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH产品延续了LE系列的优异性能,其最高时钟频率133MHz,数据吞吐量高达532Mbit/s,极大提升了客户的系统访问速度和开机效率,同时在4通道133MHz时,读功耗仅为6mA,与行业同类产品相比,降低了45%的功耗,有效延长设备的续航时间。并且,更为重要的是GD25LE128EXH实现了128Mb容量产品上的超小尺寸,此前,业界128Mb容量产品的主流封装为6mm×5mm×0.8mm WSON8,而GD25LE128EXH采用的3mm×3mm×0.4mm超小尺寸的新型封装,面积缩小达70%,厚度减薄50%,能够显著节省85%的空间体积,并节省材料成本。


除了尺寸优势显著提升之外,3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH与64Mb及以下容量的3mm×4mm×0.6mm USON8封装产品引脚兼容,无需调整PCB布局即可快速升级容量至128Mb,对于不同容量需求的方案,进一步简化了其兼容性要求的设计。


兆易创新存储事业部执行总监陈晖先生表示:“作为业界领先的Fabless芯片供应商,兆易创新不仅是创新技术的提倡者,同时也是先进技术的践行者。此次率先推出超小尺寸3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的128Mb SPI NOR Flash,完美匹配了业界对小型化和高集成度的要求,并且基于此封装技术落地的首款产品GD25LE128EXH所具备的低功耗特性也使其适用于任何以电池供电的产品设计中。未来随着智能设备的不断升级,兆易创新预见大容量、小尺寸、低功耗的SPI NOR Flash产品将持续被业界需要。针对这一趋势,公司正在规划通过先进封装和存储技术开发其它容量、更小尺寸的存储产品,为客户提供更多样化的选择。”


GD25LE128EXH现已量产,客户可联络销售代表或授权代理商了解相关信息。另外,同系列3mm×2mm×0.4mm FO-USON8封装产品GD25LE64E也即将在5月底提供样片,具体详情请联络销售代表。


关于兆易创新(GigaDevice)


兆易创新科技集团股份有限公司(股票代码603986)是全球领先的Fabless芯片供应商,公司成立于2005年4月,总部设于中国北京,在全球多个国家和地区设有分支机构,营销网络遍布全球,提供优质便捷的本地化支持服务。兆易创新致力于构建以存储器、微控制器、传感器、模拟产品为核心驱动力的完整生态,为工业、汽车、计算、消费电子、物联网、移动应用以及通信领域的客户提供完善的产品技术和服务,并已通过ISO9001及ISO14001等管理体系的认证,与多家世界知名晶圆厂、封装测试厂建立战略合作伙伴关系,共同推进半导体领域的技术创新。欲了解更多信息,请访问:www.GigaDevice.com



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