SK海力士拟年内试产238层NAND闪存
公司方面还表示,计划今年年底实现主力产品176层4D NAND以晶圆形式出货占比70%,以进一步提升毛利率。
针对DRAM市场行情,海力士方面表示,尽管目前DRAM的平均售价(ASP)走低,但成本下降足以弥补ASP变化,公司方面预计今年DRAM出货量将增加约10%,NAND闪存出货量增加20%。
公司方面还表示,计划今年年底实现主力产品176层4D NAND以晶圆形式出货占比70%,以进一步提升毛利率。
针对DRAM市场行情,海力士方面表示,尽管目前DRAM的平均售价(ASP)走低,但成本下降足以弥补ASP变化,公司方面预计今年DRAM出货量将增加约10%,NAND闪存出货量增加20%。
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