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[传感技术]贸泽联手Vishay推出全新电子书,探讨支持新一代工业4.0的技术和元件

【导读】Vishay和贸泽深入探讨了为全球工厂带来变革的自动化浪潮,以及这种浪潮背后起到支持作用的关键解决方案。本电子书收录了四篇详细的专题文章,介绍了支持新一代工业应用的数字元件,此外还包含一张展望未来工业5.0的实用信息图。书中文章的主题包括物联网 (IoT) 传感器、电子开关、光学控制面板和GaN DC-DC转换器中的电流检测解决方案。 2023年10月20日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与Vishay联手推出全新电子书《The Next Generation of Industry 4.0》(新一代工

[传感技术]Vishay推出新款193 PUR-SI Solar系列卡扣式功率铝电容器,提高额定电压

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出Vishay BCcomponents 193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率铝电容器,额定电压和类别电压分别提升至570 V和475?V。器件面向太阳能应用,特定条件下,工作电压最高可达600 V,使用寿命长,+ 105 °C和100 Hz下额定纹波电流达到2.46 A。?570 V电压下,增强型193 PUR-SI Solar系列器件的最高工作温度为 +60 °C,使用寿命5000小时(不加纹波电流),475 V电压下,最高工作温度可以达到 +105 °C,使用

[传感技术]Vishay 新款第5代TO-244封装FRED Pt 600 V Ultrafast整流器,具有出色导通和开关损耗特性

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出四款新型TO-244 封装第5代 FRED Pt? 600 V Ultrafast 整流器---VS-VS5HD240CW60、VS-VS5HD300CW60、VS-VS5HD480CW60和VS-VS5HD600CW60。Vishay Semiconductors整流器新款240 A、300 A、480?A和 600 A具有出色导通和开关损耗特性,能有效提高中频功率转换器以及软硬开关或谐振电路的效率。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202208/437560.htm该整流器导通损耗低于TO-244封装竞品FRED Pt Ultrafast解决方案。同时,反向恢复损耗低,可提

[传感技术]Vishay推出6767封装额定电流高达155 A的汽车级IHSR高温电感器

宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年9月1日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出Vishay首款19.0 mm x 17.1 mm x 7.0 mm 6767外形尺寸,额定电流达155 A、符合AEC-Q200标准的IHSR高温电感器--- IHSR-6767GZ-5A。Vishay Dale IHSR-6767GZ-5A专为多相大电流电源和输入/输出滤波器而设计,适用于汽车发动机舱和高级驾驶辅助系统(ADAS)等应用,直流内阻(DCR)比一般功率电感器降低50 %,尺寸小于类似的铁氧体解决方案。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202209/437887.htm?日

[传感技术]Vishay推出新款FRED Pt第五代Hyperfast和Ultrafast恢复整流器,大幅降低导通和开关损耗

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出15款采用SOT-227小型封装的新型FRED Pt? 第五代600 V 和 1200 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器。Vishay Semiconductors整流器导通和开关损耗在同类器件中达到先进水平,提高高频逆变器和软开关或谐振电路的效率。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202209/438120.htm日前发布的器件可与MOSFET或高速IGBT配合使用,适用于PFC、电动(EV)/ 混合动力汽车(HEV)电池充电站输出整流级、太阳能逆变器增压级和UPS。这些应用环境下,整流器导通损耗低于前代器件,

[传感技术]Vishay新款UVC发光二极管,采用陶瓷/石英基材,光照强度高于上一代解决方案,同时降低成本

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新型陶瓷/石英基材UVC(短波紫外线)发光二极管--- VLMU35CR40-275-120 和 VLMU35CR41-275-120,用于医疗、工业和消费电子应用杀菌。Vishay Semiconductors VLMU35CR40-275-120 和 VLMU35CR41-275-120 光照强度高于上一代解决方案,同时降低成本,同时适于高效消毒,具有更长的使用寿命。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202209/438148.htm日前发布的器件在250 mA条件下,典型光照功率达37 mW,mW/$ 性价比高于低功率发光二极管30?%,优于上一代解决方

[传感技术]Vishay新款UVC发光二极管,采用陶瓷/石英基材,光照强度高于上一代解决方案,同时降低成本

宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年9月14日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款新型陶瓷/石英基材UVC(短波紫外线)发光二极管--- VLMU35CR40-275-120 和 VLMU35CR41-275-120,用于医疗、工业和消费电子应用杀菌。Vishay Semiconductors VLMU35CR40-275-120 和 VLMU35CR41-275-120 光照强度高于上一代解决方案,同时降低成本,同时适于高效消毒,具有更长的使用寿命。?日前发布的器件在250 mA条件下,典型光照功率达37 mW,mW/

[传感技术]Vishay推出新款IHHP功率电感器,用于IoT设备和便携式电子产品,既节省空间又提高效率

宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年9月19日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出0603、0805和0806三款外形尺寸小型器件---IHHP-0603ZH-01、IHHP-0805ZH-01和IHHP-0806ZH-01,扩充其IHHP系列超薄、大电流功率电感器。Vishay Dale IHHP-0603ZH-01、IHHP-0805ZH-01和IHHP-0806ZH-01具有DCR低,磁芯损耗小的特点,最大高度仅为0.8 mm,用于物联网(IoT)设备和便携式电子产品,既节省空间又提高效率。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202209/438323.htm?日前发布的器件适用于

[传感技术]Vishay推出谐振变压器/电感器,节省基板空间、简化LLC应用PCB布局

(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出面向电感-电感-电容(LLC)应用,变压器和集成电感采用单体封装的新型谐振变压器---MRTI5R5EZ。5.5 kW Vishay Custom Magnetics MRTI5R5EZ节省PCB空间,同时简化布局,减少所需安装器件,磁化和漏电感完全可调,寄生参数小。?日前发布的器件是首个利用辅助中间变压器支路构成电路谐振电感部分的变压器。其他器件实现相同功能需要额外磁芯。这种独特的结构不仅节省空间,而且谐振电感器与变压器绕组之间不需要互连或跳线,从而简化设

[传感技术]Vishay推出反向恢复性能达到业界先进水平的FRED Pt第五代600V Hyperfast恢复整流器

日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出四款采用TO-220 FullPAK 2L全隔离封装的新型FRED Pt? 第五代600 V Hyperfast恢复整流器---12?A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15 A VS-E5TW1506FP-N3?和VS-E5TX1506FP-N3。该系列的整流器反向恢复性能达到业界先进水平,提高中频逆变器和软硬开关或谐振电路的效率。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202210/438940.htmVishay Semiconductors日前发布的器件反向恢复电荷(Qrr)低于前代解决方案 60?%,同时恢复损耗降低 90 %。此外,与最接近的竞品相

[传感技术]Vishay鎺ㄥ嚭鍙嶅悜鎭㈠鎬ц兘杈惧埌涓氱晫鍏堣繘姘村钩鐨? FRED Pt庐 绗簲浠?600 V Hyperfast鎭㈠鏁存祦鍣?

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[传感技术]Vishay推出薄型PowerPAK 600V EF系列快速体二极管MOSFET,其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用薄型PowerPAK??10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %,为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案,同时栅极电荷下降60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202210/438992.htmVishay提供丰富的MOSFET技术以支持各级功率转换,涵盖高压输

[传感技术]Vishay推出薄型PowerPAK? 600 V EF系列快速体二极管MOSFET,其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低

宾夕法尼亚、MALVERN?—?2022年10月12日?— 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用薄型PowerPAK??10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %,为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案,同时栅极电荷下降60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。?Vish

[传感技术]Vishay轴向水泥绕线电阻新增便于拾放加工的弯线选件

日前,Vishay Intertechnology, Inc.)宣布,其AC和AC-AT系列轴向水泥绕线电阻部分器件新增便于拾放加工的弯线选件,即WSZ引线型器件---?AC03 WSZ和AC03-AT?WSZ,这些器件可以用作表面贴装组件。Vishay Draloric电阻具有高功率等级和出色的抗脉冲性能,是业内首款采用无感型的此类电阻。WSZ引线型器件技术规格如下表所示。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202210/439035.htm器件P40功率等级阻值范围阻值公差AC03 WSZ3 W0.10 W~5.1 kW±?5 %AC03-AT WSZ*3 W0.27 W~3.3 kW±?5 %*经过AEC-Q200认证WSZ引线型

[传感技术]Vishay推出3 MHz至18 GHz频段新型隔直电容器

宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年10月26日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对隔直应用推出新型系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)---隔直电容器。Vishay Vitramon 隔直电容器是业内先进的具有3 MHz至18 GHz公共频段的此类器件,为应用设计人员提供了理想选择。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202210/439621.htm?日前发布的器件采用可靠的贵金属电极(NME)技术,适用于射频、蓝牙、5G、电力线通信电路、国防无线电、信息娱乐系统、光纤线路、放大器、微波模块

[传感技术]Vishay推出3 MHz至18 GHz频段新型隔直电容器

器件隔离直流电压,同时有效传输交流信号,插入损耗小于0.5 dB,简化设计人员器件选型宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年10月26日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对隔直应用推出新型系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)---隔直电容器。Vishay Vitramon 隔直电容器是业内先进的具有3 MHz至18 GHz公共频段的此类器件,为应用设计人员提供了理想选择。日前发布的器件采用可靠的贵金属电极(NME)技术,适用于射频、蓝牙、5G、电力线通信电路、国防

[传感技术]Vishay推出3 MHz至18 GHz频段新型隔直电容器

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对隔直应用推出新型系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)---隔直电容器。Vishay Vitramon 隔直电容器是业内先进的具有3 MHz至18 GHz公共频段的此类器件,为应用设计人员提供了理想选择。?日前发布的器件采用可靠的贵金属电极(NME)技术,适用于射频、蓝牙、5G、电力线通信电路、国防无线电、信息娱乐系统、光纤线路、放大器、微波模块以及高频数据链路。MLCC可在这些应用中隔离直流电压,无需

[传感技术]美国“抢滩”碳化硅市场

本文来自微信公众号:半导体行业观察 (ID:icbank),作者:杜芹DQ,头图来自:视觉中国硅显然是半导体行业的主力军。但是当特定性能的需求提出时,如汽车、5G等需要更高效率或更高功率需求的应用驱动下,如SiC这样的化合物半导体正在成为行业追捧的对象。据TrendForce预测,2022年全球SiC功率半导体产值约15.89亿美元,至2026年可达到53.02亿美元,CAGR达35%。因此,中日欧韩纷纷竞逐SiC,但SiC这个甜美的蛋糕,怎么少得了美国厂商的参与。值得一提的是,碳化硅(SiC)是由美国发明家Edward G. Acheson于1891年发现

[传感技术]美国“抢滩”SiC市场

硅显然是半导体行业的主力军。但是当特定性能的需求提出时,如汽车、5G等需要更高效率或更高功率需求的应用驱动下,如SiC这样的化合物半导体正在成为行业追捧的对象。据TrendForce预测,2022年全球SiC功率半导体产值约15.89亿美元,至2026年可达到53.02亿美元,CAGR达35%。因此,中日欧韩纷纷竞逐SiC,但SiC这个甜美的蛋糕,怎么少得了美国厂商的参与。?值得一提的是,碳化硅(SiC)是由美国发明家Edward G. Acheson于1891年发现的,在尝试生产人造钻石时,他将粘土和焦炭粉的混合物放在一个铁碗里加热

[电源管理]Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性

【导读】日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,正向压降、电容电荷和反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 器件采用MPS结构设计,额定电流4 A~ 40 A,正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出17款新型第三代650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay