你好!欢迎来到深圳市品慧电子有限公司!
语言
当前位置:品慧电子 >> 搜索 >> 与“齐纳二极管”相关的内容

[二极管]齐纳二极管在LED方面的作用

LED是一种对静电非常敏感的半导体器件,特别是对于InGaN结构的蓝色、翠绿色、白色等发光LED,这种结构这种颜色的LED对静电更加敏感,我们知道静电电压很高,甚至达到上万伏,LED发光管碰上静电很容易会破坏LED本身结构,导致发光性能异常,甚至直接损坏。为了提高抗静电能力,LED会内置一个齐纳二极管,特别是绿色、白色、蓝色的LED,而且多数是双向齐纳二极管存在,普通的LED发光管抗静电能力一般都在2000V以下(如下表)。但是加上齐纳二极管之后抗静电能力大大加强,甚至达到上万伏,当然,加了齐纳的LED在价格上比普通的要稍高

[二极管]二极管的芯片结构、基本特性及分类

在硅中形成pn结和设置电极,这就是二极管。使用pn结的二极管,叫做普通整流二极管。改善普通整流二极管的开关特性后叫做快恢复二极管(FRD),它不同于普通整流二极管。 在二极管中使用金属层来代替p型半导体,叫做肖特基势垒二极管(SBD)。 二极管的芯片结构: 为了在芯片切割(划片)前贴保护膜,有两种结构: 根据材料与特性,可以有以下分类: 依照应用及特性分类: 二极管的基本特性 二极管的静态特性: 二极管的动态特性(开关特性): 普通整流二极管 使用硅pn结的二极管,为工频交流(50/6

[二极管]齐纳二极管原理与操作

齐纳二极管可以使用两种效应。一种称为齐纳击穿,另一种称为冲击或雪崩电离。齐纳效应在 5.5V以下占主导地位,而碰撞电离是该电压以上的主要影响。 这两种效应完全不同,尽管它们产生几乎相同的效应。 齐纳击穿效应:齐纳击穿效应是二极管得名的原因。它是量子力学效应隧穿效应,但当应用于电压基准二极管时,它以发现它的人的名字保留了齐纳的名字。 在大多数情况下,电子包含在晶格中的原子内。在这种状态下,它们处于所谓的价带中。如果在半导体上放置一个大电场,这可能足以将电子拉出原子进入所谓的导带。当它们脱离原子时

[二极管]齐纳二极管原理与操作

齐纳二极管可以使用两种效应。一种称为齐纳击穿,另一种称为冲击或雪崩电离。齐纳效应在?5.5V以下占主导地位,而碰撞电离是该电压以上的主要影响。 这两种效应完全不同,尽管它们产生几乎相同的效应。 齐纳击穿效应:齐纳击穿效应是二极管得名的原因。它是量子力学效应隧穿效应,但当应用于电压基准二极管时,它以发现它的人的名字保留了齐纳的名字。 在大多数情况下,电子包含在晶格中的原子内。在这种状态下,它们处于所谓的价带中。如果在半导体上放置一个大电场,这可能足以将电子拉出原子进入所谓的导带。当它们脱离原子时,它

[二极管]齐纳二极管的应用

汽车电子设计专栏---有源器件篇 实用的齐纳二极管可能使用齐纳效应或雪崩效应,在某些二极管中,这两种效应也可能同时发生,但通常的做法是将所有这些二极管都称为齐纳二极管。齐纳效应和雪崩效应也在某种程度上取决于二极管的结温。然而,虽然纯齐纳二极管中的电流具有负温度系数,即电流随温度升高而降低,但在使用雪崩效应的二极管中会出现相反的效应。因此,可以制造同时使用这两种效应的齐纳二极管,因此这些温度效应往往会相互抵消,从而生产出由于温度而具有非常小的电流变化的二极管。 齐纳二极管广泛用于电源电路,用于稳压

[二极管]齐纳二极管规格

查看齐纳二极管的规格表时,将包含几个参数。每个都详细说明了齐纳电压基准二极管性能的不同方面。查看每个不同的特性,可以了解二极管的性能并确保它在任何给定电路中都能正常工作。 电压 Vz:二极管的齐纳电压或反向电压规格通常用字母 Vz 表示。电压值范围很广,通常遵循 E12 和 E24 范围,但并非所有二极管都受此约定的约束。在某些情况下,E12 值可能会稍微便宜一些,并且可能更广泛地可用。 值通常从 2.4 V 左右开始,但并非所有范围都延伸到如此低的水平。低于此值的值不可用。范围可以在 47 V 至 200 V 范围内的任何地方扩展

[贴片电容]Nexperia推出一系列A-selection齐纳二极管,可提供高精度基准电压,拥有业内极低的±1%容差

Nexperia(安世半导体)今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%,相比B(±2%)和C(±5%)版本,可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求,也可以支持Q产品组合器件。“Nexperia的A-selection齐纳二极管涵盖从1.8V至75V的各种应用,提供高精度、低容差基准电压,”Nexperia产品经理Paula Stümer介绍,“如果向栅极-源极路径或漏极-栅极路径施加极限电压,或从更多种

[贴片电容]【科普小贴士】什么是稳压二极管(齐纳二极管)

稳压二极管利用了pn结的反向特性。当提高pn结二极管的反向电压时,大电流在一定的电压下开始流动,并得到恒定的电压。(这种现象称为击穿,其电压称为击穿电压。)稳压二极管积极利用了这一特性。由于这种击穿电压也被称为齐纳电压,所以稳压二极管也被称为齐纳二极管。该电压可用作恒压电源或电子电路的参考电压。(注:一般情况下,当电压小于或等于6V时,会观察到齐纳现象。如果电压超过6V,雪崩现象将超过齐纳现象成为主导。齐纳电压和雪崩电压具有不同的温度特性,前者的温度系数为负,后者的

[贴片电容]【科普小贴士】TVS二极管和齐纳二极管之间的差异

如图2-6(a)所示,TVS二极管(ESD保护二极管)在短时间内吸收很高的过电压,其作用是避免对其它半导体器件施加过大的电压。另一方面,如图2-6(b)所示,齐纳二极管将输入电压钳制为恒定电压,并将钳制的电压提供给其它半导体器件。因此两者的差异在于,TVS二极管吸收浪涌电压以保护其它半导体器件,而齐纳二极管为其它半导体器件提供恒定电压。图2-6(a)TVS二极管的用途? ? ? ?图2-6(b)齐纳二极管的用途[TVS二极管:参见图2-7(a)]TVS二极管通常用于反向阻塞状态。(几乎没有电流流动,只施加

[电源管理]从齐纳二极管和并联拓扑谈谈如何选择合适的分流电阻

品慧电子讯什么比基准电压源更简单的基本电压恒定基准电压呢?与所有设计主题一样,也需要权衡取舍。本文讨论了不同类型的电压基准,它们的关键规格以及设计折衷,包括精度,温度无关性,电流驱动能力,功耗,稳定性,噪声和成本。有什么比基准电压源更简单的基本电压恒定基准电压呢?与所有设计主题一样,也需要权衡取舍。本文讨论了不同类型的电压基准,它们的关键规格以及设计折衷,包括精度,温度无关性,电流驱动能力,功耗,稳定性,噪声和成本。理想

[电源管理]让负载上的输出电压保持恒定的齐纳二极管稳压器

品慧电子讯稳压器是一种让负载上的输出电压保持恒定而不随负载电流变化的电路。例如,负载可以是微控制器系统,这就要求电源电压保持恒定,即使其电流会随着系统活动的变化而变化。图1中的齐纳二极管稳压器提供了一种非常简单的方法来将负载电压VL保持与齐纳二极管的反向击穿电压相同的值,只要负载电阻RL保持在高于某一下限。电压源VIN和电阻RS通过戴维宁等效电路模拟了输入电路特性,比如将一个高电压(如120 V交流电源)转换为未经调节和滤波的较低直流电压源。材料● ADALM2000主动学习模块● 无焊面包板● 1个1 k电阻(RS)●

[电源管理]书本上学不来的关于齐纳二极管的使用经验

品慧电子讯齐纳二极管(Zener diode),又叫稳压二极管,利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变,因此,常用来制成起稳压作用的二极管。很多初学者常常不能从根本上很好地理解其工作过程,因此,在应用上带来困惑。在通常情况下,反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数,直到反向电压超过某个特定的值,超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通(图1)。这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿,如果没有一些外在的措施来限制电流的话,它可能导致器件的损坏。反向击穿通常设置

[二极管]齐纳二极管原理及使用_齐纳二极管怎么使用_齐纳二极管使用电路图

齐纳二极管又叫稳压二极管,齐纳二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。   齐纳二极管原理在通常情况下,反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数,直到反向电压超过某个特定的值,超过这个

[二极管]齐纳二极管稳压电路_齐纳二极管为什么能够稳压

一、齐纳二极管稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更高的稳定电压。原理稳压二极管的伏安特性

[二极管]齐纳二极管原理和齐纳击穿_齐纳二极管和齐纳击穿有什么区别

  齐纳二极管稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更高的稳定电压。   原理稳压

[二极管]齐纳二极管的特性_齐纳二极管参数_齐纳二极管的应用

稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更高的稳定电压。   齐纳二极管的特性稳压二极管的

[二极管]齐纳二极管的工作原理

齐纳二极管的工作原理在通常情况下,反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数,直到反向电压超过某个特定的值,超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通(图1.15)。这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿,如果没有一些外在的措施来限制电流的话,它可能导致器件的损坏。反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。然而,如果采取适当的预防措施来限制电流的话,反向击穿的结能作为一个非常稳定的参考电压。 图1.15 PN结二极管的反向击穿。 导致反向击穿的一个机制是avalanche multiplication。考虑一个

[二极管]齐纳二极管

齐纳二极管 齐纳二极管(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压.稳压管的应用: 1、浪涌保护电路(如图2):稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或保护之元件来使用,因为各种电压的

[MICROCHIP/微芯]齐纳二极管P6SMB300A最新市场报价信息

P6SMB300A.html" _fcksavedurl="http://www.hqew.com/ic/P6SMB300A.html">P6SMB300A品牌:Vishay封装:DO-214AA基本参数系列:P6SMB电极标记:单向电压-反向隔离(标准值):128V电压-击穿:143V功率(瓦特):600W包装:剪切带(CT)钳位电压:103 V根据华强电子网以及各大电子网站的搜索排名来看,此型号列为前百之一,市场报价2.32~4.57元/pcs,量多可议价。

[通用技术]罗姆开发出世界最小“0402尺寸”齐纳二极管

品慧电子讯:罗姆近日开发出世界最小的齐纳二极管0402尺寸(0.4mm×0.2 mm),这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上。本产品属于世界最小的半导体产品,和以往的0603尺寸(0.6mm×0.3mm)相比,成功地将尺寸减少了55%。日本知名半导体制造商罗姆近日开发出世界最小的齐纳二极管0402尺寸(0.4mm×0.2 mm),为以智能手机为代表的手机、DSC等要求小型、薄型化的产品做出了很大的贡献,不但可以提高设备性能、而且可以使机型更加小巧。图一:实现世界最小的贴片尺寸生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.,从2012年10月开始出售样品(