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[传感技术]功率晶体管,连续六年创新高

“据ICinsights分析,功率晶体管销售额在 2022 年有望增长 11%,预计今年将达到 245 亿美元,连续第六次创下历史新高,这主要是因为这一大型分立器件产品的平均销售价格 (ASP) 创下十几年来的最高增幅。根据麦克林报告服务的第三季度更新,功率晶体管的 ASP 在 2021 年增长 8% 之后,预计 2022 年将增长 11% 。 ” 据ICinsights分析,功率晶体管销售额在 2022 年有望增长 11

[传感技术]2022年功率晶体管销售额可望达到245亿美元

进入2022年以来,芯片市场的供需紧张关系在逐季缓解,但依旧面临需求分化加剧,比如消费级芯片需求的萎缩迫使渠道商清理库存,而汽车电子、工控等功率半导体的供应需求仍然紧张。 ? 还比如硅基MOSFET(低压为主)功率器件价格呈现明显下降趋势,而IGBT模块、SiC器件等产品受新能源市场高需求提振,整体价格表现较为强势。 ? 根据IC Insights发布最新报告指出,由于供应紧张、器件短缺正在推动功率晶体管的平均售价达到2010年以来的最高百分比。2022年功率晶体管的销售额有望增长

[三极管]功率晶体管(GTR)

功率晶体管(GTR)   功率晶体管是一种高反压双极性大功率晶体模块。具有自关断能力,开关时间短,饱和压降低和安全工作区宽等优点。已生产出功率晶体管集成组合器件,一种是单片达林顿(Darlington)晶体管,如右图 所示,一种是由几个达林顿晶体管构成的功率晶体管模块,功率晶体管组合器件使其基极驱动电流大大减小,它已在直流脉宽调速和交流矢量控制的PWM调速中得到广泛应用。图a)、b)、c)分别示出一单元、二单元、六单元在一个硅片上的等效电路富士公司的GTR模块有三种类型:  M系列:具有

[传感技术]EPC新推350 V氮化镓功率晶体管,比等效硅器件小20倍且成本更低

氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计,在极小的芯片级封装中,实现 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值电流,是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和 LED 照明的理想器件。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202204/432939.htm宜普电源转换公司(EPC)近日宣布推出 EPC2050,这是一款 350 V GaN 晶体管,最大 RDS(on) 为 80 mΩ,脉冲输出电流为 26 A。 EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm,与采用等效硅器件的解决方案相比,基于EPC2050的解决方案的占板面积小十

[贴片电容]埃赋隆推出400W坚固耐用的Doherty射频功率晶体管

埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT 400W非对称Doherty射频功率晶体管。此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计,其采用了埃赋隆备受业界推崇的第9代28V LDMOS工艺技术。该Doherty晶体管采用气腔塑料(ACP)无耳SOT-1258-4封装制造,通常可提供45%的漏极效率。BLC10G27XS-400AVT具有出色的坚固特性,VSWR高达10:1,这对于经常发生大功率极端失配情况的基站应用来说是必不可少的。该晶体管集成了ESD保护,具有可提高Doherty性能的低输出电容,并在

[互连技术]如何匹配门极驱动器,来增强型GaN功率晶体管?

品慧电子讯氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题,给出一个驱动器方案,解决设计过程的风险。氮化镓(GaN)HEMT是电源转换器的典范,其端到端能效高于当今的硅基方案,轻松超过服务器和云数据中心最严格的80+规范或USB PD外部适配器的欧盟行为准则Tier 2标准。虽然旧的硅基开关技术声称性能接近理想,可快速、低损耗开关,而G

[互连技术]氮化镓功率晶体管需要匹配合适的门极驱动器

品慧电子讯节能举措,如企业服务器和云数据中心电源的“80+ Titianium”,以及外部电源适配器的欧盟行为准则(CoC) Tier 2,正使电源设计人员转而选择GaN开关技术,以实现更高能效的设计。由于GaN并不是现有硅技术的直接替代品,为了获得最大的优势,驱动器和布板必须与新技术相匹配。节能举措,如企业服务器和云数据中心电源的“80+ Titianium”,以及外部电源适配器的欧盟行为准则(CoC) Tier 2,正使电源设计人员转而选择GaN开关技术,以实现

[三极管]功率晶体管(GTR)

功率晶体管(GTR)   功率晶体管是一种高反压双极性大功率晶体模块。具有自关断能力,开关时间短,饱和压降低和安全工作区宽等优点。已生产出功率晶体管集成组合器件,一种是单片达林顿(Darlington)晶体管,如右图 所示,一种是由几个达林顿晶体管构成的功率晶体管模块,功率晶体管组合器件使其基极驱动电流大大减小,它已在直流脉宽调速和交流矢量控制的PWM调速中得到广泛应用。图a)、b)、c)分别示出一单元、二单元、六单元在一个硅片上的等效电路富士公司的GTR模块有三种类型:  M系列:具有

[三极管]Ampleon为HF、VHF和ISM应用提供LDMOS RF功率晶体管

荷兰奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶体管产品组合,采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。BLP05H6xxxXR系列功率晶体管面向广播和ISM发射器或发电机制造商,瞄准FM/VHF无线电和电视广播,以及工业、科学和医疗RF功率发生器。该系列晶体管功率范围从35W直至700W CW (连续波),所有这些“同级最佳”极稳固RF功率晶体管使用相同的SOT1223封装外形,并且可以用于從高頻 (HF) 至600MHz频率范围的任何RF功率应用。 这些功率晶体管能够耐受极端负载失配

[通用技术]IC Insight:2010功率晶体管市场达到新高

机遇与挑战: 全球功率晶体管的应用迅速增长 未来五年功率晶体管将随着汽车工业的复苏而增长市场数据: 全球功率晶体管销售额在2010年有望增长31%,达到创记录的109,6亿美元 功率晶体管市场在2014年将达到145亿美元按IC Insight报道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶体管销售额在2010年有望增长31%,达到创记录的109,6亿美元。自从功率晶体管在2000年达到创记录的增长32%后,此次的31%的增长也是相当亮丽。IC Insight预测,功率晶体管市场在2014年将达到145亿美元,而2009年为84亿美元,表示年均增长率CAGR达12%,并预计未

[通用技术]飞思卡尔面向TD-SCDMA,推出两款LDMOS射频功率晶体管

产品特性:RF8P20160HSR3,37W的平均射频输出功率 RF8P20160HSR3,45.8 % 的能量转换效率 MRF8P20100HSR3,20W的平均射频输出功率 MRF8P20100HSR3,44.3 % 的能量转换效率 应用范围: 提供对宽带的固有支持 用于支持TD-SCDMA的运行飞思卡尔半导体公司今天推出两款LDMOS射频功率晶体管。在中国,时分同步码分多址存取(TD-SCDMA)无线网络被广泛应用,而这些射频功率晶体管已经专为服务于上述网络的基站中所使用的功率放大器进行了优化。 这些先进的器件是专为TD-SCDMA 设计的飞思卡尔LDMOS 功率晶体管系列中的最新产品,

[通用技术]飞思卡尔半导体扩大RF功率晶体管产品阵容

产品特征: 运行频率为920 至960 MHz,提供17.8 W 的平均RF功率输出,效率高达42.5% 误差矢量幅度的均方根值不超过2.1% 增强型的内部阻抗匹配能使制造商更轻松地适应印刷电路板的变化适用范围: 基站收发器、GSM EDGE无线网络随着基于LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)技术的三个高性能RF功率晶体管的推出,飞思卡尔半导体扩展了它在GSM EDGE无线网络方面的投入。这些器件结合了增强功能,使它们轻松集成到放大器内,同时可提供卓越的性能水平。 飞思卡尔副总裁兼RF部门总经理

[通用技术]EPC2010:宜普推出第二代200V增强型氮化镓功率晶体管

EPC2010 FET新品特性: 最大RDS(ON)值为25mΩ 栅极施加电压是5VEPC2010 FET应用范围: 高速DC/DC电源 负载点转换器 D类音频放大器 硬件开关和高频电路宜普电源转换公司宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管(FET)系列产品中的最新成员EPC2010,具更卓越性能,不仅环保、不含铅,而且符合RoHS(有害物质限制)指令。EPC2010 FET是一款200VDS器件,最大RDS(ON)值为25mΩ,栅极施加电压是5V。这种eGaN FET与第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明显的性能优势。EPC2010将脉冲电流额定值提高到60A(而EPC1010为40A),并且改进

[通用技术]坚固耐用支持2.5GHz到2.7GHz的高能效功率晶体管

产品特性: 高效率 优异的耐用性 较低的输出电容,提高了 Doherty 应用中性能 记忆效应低,提供优良的预失真能力 内部匹配,易于使用适用范围: 多载波应用,频率范围在 2.5GHz 到2.7GHz 之间 用于 W-CDMA 和 LTE 基站的射频功率放大器NXP 半导体推出了一款新的 90W LDMOS 功率晶体管,BLG7G27LS-90P,应用于基站,工作频率从 2.5GHz到 2.7GHz。BLF7G27LS-90P 是推挽晶体管,采用 NXP 的第七代 LDMOS 技术,采用热增强型陶瓷封装。在单载波W - C D M A 信号的A B类电路中, 平均输出功率2 5 W时,BLF7G27LS-90P 可提

[通用技术]罗姆“全球首次”开始量产SiC制功率晶体管

产品特性: 耐压为600V 导通电阻为0.4Ω 解决可靠性、高温工艺引起的特性不均等问题应用范围: 变频器和转换器罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxide-semiconductor FET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品,2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600V~1200V、电流为5A~20A的范围内充实产品。 罗姆过去一直积极致力于SiC的元件开发。2010年4月已开始量产SiC制肖特基势垒二极管(SBD)。罗姆表示,此次通过开发自主的工艺技术和筛选法,解决了由Si

[通用技术]650V,CoolMOS,C6/E6高压功率晶体管

产品特性: 具备快速、可控的开关性能 C6器件针对易用性进行了优化 E6器件旨在提供最高效率应用范围: 效率和功率密度是关键要求的应用英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOS C6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650V CoolMOS C6/E6器件

[通用技术]BC69PA:恩智浦推出采用2x2-mm无引脚DFN封装的中功率晶体管

产品特性: 采用独特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封装 裸露散热器 高集电极电流能力应用范围: 应用在移动设备、车载设备、工业设备和家用电器中恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日发布业内首款采用2-mm x 2-mm 3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封装,是恩智浦中功率晶体管家族中的首位小型晶体管成员。新型DFN2020-3 (SOT1061) 封装非常适合在移动设备、车载设备、工业设备和家用电器中的通用功率敏感型应用,与常规的SOT89封装相比,在维持高达

[生产测试]松下开发出功率晶体管直接液浸冷却技术

功率晶体管液浸冷却的技术特征: 冷却性能提高至2倍以上 缓和芯片的应力功率晶体管液浸冷却技术的应用范围: 马达驱动等多种应用领域松下宣布,开发出了将功率晶体管直接浸入液体冷却的技术(下称直接液浸冷却技术)。可在减压的封装内封入半导体芯片和液体,利用温度稍有上升,液体就会沸腾气化而吸热的作用来直接冷却半导体芯片表面。松下在发布时表示,GaN功率晶体管等新一代功率晶体管与此前的Si类晶体管相比,虽具有可小型化的特点,但但也存在封装内部容易封闭热量的课题。而此次的技术通过在减压封装内将半导体芯片浸入液

[生产测试]BC69PA:恩智浦推出采用2x2-mm无引脚DFN封装的中功率晶体管

产品特性: 采用独特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封装 裸露散热器 高集电极电流能力应用范围: 应用在移动设备、车载设备、工业设备和家用电器中恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日发布业内首款采用2-mm x 2-mm 3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封装,是恩智浦中功率晶体管家族中的首位小型晶体管成员。新型DFN2020-3 (SOT1061) 封装非常适合在移动设备、车载设备、工业设备和家用电器中的通用功率敏感型应用,与常规的SOT89封装相比,在维持高达

[耦合技术]松下开发出功率晶体管直接液浸冷却技术

功率晶体管液浸冷却的技术特征: 冷却性能提高至2倍以上 缓和芯片的应力功率晶体管液浸冷却技术的应用范围: 马达驱动等多种应用领域松下宣布,开发出了将功率晶体管直接浸入液体冷却的技术(下称直接液浸冷却技术)。可在减压的封装内封入半导体芯片和液体,利用温度稍有上升,液体就会沸腾气化而吸热的作用来直接冷却半导体芯片表面。松下在发布时表示,GaN功率晶体管等新一代功率晶体管与此前的Si类晶体管相比,虽具有可小型化的特点,但但也存在封装内部容易封闭热量的课题。而此次的技术通过在减压封装内将半导体芯片浸入液