[互连技术]如果不说 你会特别留意肖特基二极管的这些参数吗？
【导读】我们在肖特基二极管设计过程中，肖特基二极管与普通二极管有什么区别，有哪些参数与特点我们需要留意。本文分享那些电感容易忽略关键参数。 我们在肖特基二极管设计过程中，肖特基二极管与普通二极管有什么区别，有哪些参数与特点我们需要留意。本文分享那些电感容易忽略关键参数。 1. 什么是肖特基二极管 肖特基二极管即热载流子二极管，是基于金属-半导体结制造而成。 肖特基二极管结构： 肖特基二极管的结构与普通二极管有所不同。肖特基二极管使用的是键合到N型掺杂材料中的单层薄金属，而不是双层掺杂半导体材料。这种金属与
[光电显示]光电二极管信号放大解决方案解析
【导读】Photo-Diode 光电二极管，内部结构是由一个PN结组成的半导体器件。它和常用二极管一样，有单向导通的特性。色彩测量、发射光谱仪、气体探测器、浑浊度计等应用通常都是采用光电二极管来实现精密光学测量。 图 1 光电二极管外型 图 2 光电二极管内部结构 图 3 典型光电二极管传递函数特性图 一、光电二极管的工作模式 光电二极管的基本原理是：通过吸收光能并照射到P-N结时将其转换成电信号。常见有以下两个工作模式： ● 光导模式（反向偏置）● 光伏模式（零偏置） 图 4 反向偏置 图 5 零偏置 光导模式特点： ● 响应速度快
[电源管理]稳压二极管的动态电阻
【导读】稳压二极管是利用其反向击穿时电流会急剧升高的特性进行稳压，表现出此时的动态电阻 Rz，也就是增加的 电压除以增加的电流 ，所得到的比值比较小，这样就会使得外部电压的波动对稳压二极管两端电压影响较小。 01 稳压二极管 一、动态电阻??稳压二极管是利用其反向击穿时电流会急剧升高的特性进行稳压，表现出此时的动态电阻 Rz，也就是增加的电压除以增加的电流，所得到的比值比较小，这样就会使得外部电压的波动对稳压二极管两端电压影响较小。 1、电流曲线??手边有刚刚购买到的两款稳压二极管，它们的特性为： ● 2CS4742A基本特
[互连技术]为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样
【导读】在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结
[传感技术]Nexperia超低电容ESD保护二极管保护汽车数据接口
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外，该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟MGbit以太网应用。 本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202208/436915.htm?新晋产品包括2引脚单线器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超紧凑型DFN1006BD-2封装，同时优化了布线灵活性。此外，还有两款采用DFN1006-3封装的3引脚差分线路器
[传感技术]LM66100-Q1是具有集成 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管
产品详情描述：LM66100-Q1 是一款单输入、单输出 (SISO) 集成理想二极管，非常适合各种应用。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET，可在 1.5 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作，并可支持 1.5 A 的最大连续电流。芯片使能通过将CE引脚电压与输入电压进行比较来工作。当CE引脚电压高于 VIN 时，器件禁用，MOSFET 关闭。当CE引脚电压较低时，MOSFET 导通。LM66100-Q1 还带有反极性保护 (RPP)，可以保护设备免受错误接线输入的影响，例如电池反接。两个 LM66100-Q1 器件可用于类似于双二极管 ORing 实施的 ORing 配置。在这种
[传感技术]DRV8300U是具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
产品详情描述：DRV8300U 是 100-V 三半桥栅极驱动器，能够驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300UD 使用集成自举二极管和用于高端 MOSFET 的外部电容器生成正确的栅极驱动电压。GVDD 用于产生低侧 MOSFET 的栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。相位引脚 SHx 能够承受显着的负电压瞬变；而AOZ1021AI高端栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (125-V) 绝对最大电压，从而提高了系统的稳健性。小的传播延迟和延迟匹配规范最大限度地减少了死区时间要求，从
[传感技术]业界首款采用紧凑型 DFN 封装，Bourns 功率瞬态电压抑制二极管正式上市
美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，推出 Bourns??PTVS1?和 PTVS2 系列，为业界首款采用紧凑型 DFN 封装 (8 mm x 6 mm x 2.5 mm) 的功率瞬态电压抑制二极管。Bourns? PTVS1 和 PTVS2 表贴式系列产品提供有效的 ESD 静电保护，满足日益增长的高浪涌电流解决方案，亦有助于设计人员节省宝贵的 PCB 板空间。 本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202208/437245.htmBourns? PTVS2-xxxC-H 系列是第一款具有 2 kA (8/20 μs) 浪涌处理能力的 PTVS 设备，此为 Bourns 的另一项业界首创技术，紧凑的封
[传感技术]2022上海热敏电阻展会(玻封二极管型热敏电阻展会)
2022中国(上海)国际热敏电阻及温度传感器展览会时间：2022年11月14日-16日地点：上海新国际博览中心联系人： 舒主任 手 机： 185 3830 4525电 话： 021-54163212【指导单位】中国电子器材有限公司工业和信息化部深圳市人民政府各省市电子器材公司台湾区电机电子工业同业公会中国电子元件行业协会中国电子仪器行业协会中国电子质量管理协会中国电子专用设备工业协会中国电子学会通信学分会中国半导体行业协会香港贸易发展局中国光学光电子行业协会光电器件分会中国光学学会激
[传感技术]应用在液晶背光领域中的环境光传感芯片
背光显示是指当使用者使用电子设备时，机身上的显示屏能否发出背光，以便更清晰地显示内容。大部分的电子设备只要有显示屏，就有背光显示，只要有字幕显示，背光就算正常。背光显示技术已经开始应用在LED照明领域提供均匀的光源，这是背光技术在照明领域的新应用。 液晶不同于等离子的最大区别就是液晶必须依靠被动光源，而等离子电视属于主动发光显示设备。市场上主流的液晶背光技术包括LED(发光二极管)和CCFL(冷阴极荧光灯)两类。 CCFL(冷阴极荧光灯)背光源是液晶电视的最主
[传感技术]扫盲：LED发光二极管并联使用的影响
亿光LED串并使用时的影响是什么？ LED 发光二极管多颗使用，可能容易产生亮度不一致，在设计时如果对亮度要求比较高，一般要求采用单灯珠配限流电阻的方式进行使用，不推荐多灯珠直接并联进行使用。 一般灯珠在生产时均采用相同的电流进行灯珠电压筛选，（一般 LED 分选电压为 0.2V），当设计为并联两个灯珠使用时，从电流 VS 电压曲线可以看出，在同样电流 20mA 下，LED1 电压为 1.8V，LED2 电压为 1.9V，在并联使用时由于电压的不一致性，在导通时低电压的灯珠会有钳位作用，那
[传感技术]二极管嵌位有什么作用？
简单来说，二极管嵌位的作用就是将电平限制在一定的固定电位，以便于较低级别的信号处理。今天我们具体讲一讲二极管嵌位的作用。 ①直流分量恢复电路：当全电视信号发射时，通常进行单边带处理，以降低发射功率。电视接收到的电视信号失去了直流分量，明亮的场景和黑暗的场景同步头不在同一位置，如果没有切割同步头，将导致明场和暗场的扫描不同步。 处理方法是嵌位电路，将明暗场景的同步头拉到同一电位进行切割，从而保证行场扫描可以同步明暗场景。 ②限幅电路。
[传感技术]白光钙钛矿发光二极管制备成功
中国科学技术大学物理学院肖正国教授课题组与化学与材料学院陈涛教授课题组合作，利用表面能很低的聚二甲基硅氧烷（PDMS）衬底，实现了钙钛矿薄膜的巨量转移，并基于此成功制备出白光钙钛矿发光二极管。相关成果日前发表在《先进材料》杂志上。金属卤化物钙钛矿是新一代的明星半导体材料，它具有优异的光电特性，在太阳能电池、发光二极管、X射线探测器等领域都具有非常广阔的应用前景。但是在之前的研究中，钙钛矿薄膜只能够沉积在刚性平面衬底上，这远远无法满足实际应用中的很多需求。为此，肖正国教授课题组使用表
[传感技术]2023中国(深圳)国际玻封二极管型热敏电阻展览会
2023中国(深圳)国际热敏电阻及温度传感器展览会时间：2023年4月9日-11日地点：深圳会展中心联系人： 张主任 手 机： 18538304525电 话： 021-54163212【指导单位】中国电子器材有限公司工业和信息化部深圳市人民政府各省市电子器材公司台湾区电机电子工业同业公会中国电子元件行业协会中国电子仪器行业协会中国电子质量管理协会中国电子专用设备工业协会中国电子学会通信学分会中国半导体行业协会香港贸易发展局中国光学光电子行业协会光电器件分会中国光学学会激光加工专业委员会中国
[传感技术]Vishay新款UVC发光二极管，采用陶瓷/石英基材，光照强度高于上一代解决方案，同时降低成本
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新型陶瓷/石英基材UVC（短波紫外线）发光二极管--- VLMU35CR40-275-120 和 VLMU35CR41-275-120，用于医疗、工业和消费电子应用杀菌。Vishay Semiconductors VLMU35CR40-275-120 和 VLMU35CR41-275-120 光照强度高于上一代解决方案，同时降低成本，同时适于高效消毒，具有更长的使用寿命。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202209/438148.htm日前发布的器件在250 mA条件下，典型光照功率达37 mW，mW/$ 性价比高于低功率发光二极管30?%，优于上一代解决方
[传感技术]Vishay新款UVC发光二极管，采用陶瓷/石英基材，光照强度高于上一代解决方案，同时降低成本
宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年9月14日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型陶瓷/石英基材UVC（短波紫外线）发光二极管--- VLMU35CR40-275-120 和 VLMU35CR41-275-120，用于医疗、工业和消费电子应用杀菌。Vishay Semiconductors VLMU35CR40-275-120 和 VLMU35CR41-275-120 光照强度高于上一代解决方案，同时降低成本，同时适于高效消毒，具有更长的使用寿命。?日前发布的器件在250 mA条件下，典型光照功率达37 mW，mW/
[传感技术]Bourns全新大电流PTVS二极管 具备20kA浪涌电流和低箝位电压处理能力
美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，推出了一款专为大功率DC线路保护应用而设计的双向功率瞬态电压抑制器(PTVS)二极管。全新 PTVS20-015C-TH?能够在15V的低压下处理 20 kA浪涌电流，使其成为需要大功率DC总线保护应用的理想且有效的静电放电(ESD)保护解决方案。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202210/439003.htmBourns??PTVS20-015C-TH PTVS 二极管符合 IEC 61000-4-2 第 4 级 ESD 保护要求，且具有峰值脉冲电流下的低箝位电压，有助于满足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 雷击保护的浪涌电流要
[传感技术]Vishay推出薄型PowerPAK 600V EF系列快速体二极管MOSFET，其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用薄型PowerPAK??10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202210/438992.htmVishay提供丰富的MOSFET技术以支持各级功率转换，涵盖高压输
[传感技术]Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围
2022年10月12日：基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过将多种版本的器件推向市场，Nexperia强调了其扩大产能、加快向体积更小和热优化的封装过渡的承诺。让工程师仅从一家供应商即可获取市场上最为广泛的CFP封装二极管产品组合。这些新平
[传感技术]Vishay推出薄型PowerPAK? 600 V EF系列快速体二极管MOSFET，其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低
宾夕法尼亚、MALVERN?—?2022年10月12日?— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK??10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。?Vish
