晶体管的h参数

晶体管的h参数

在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下，晶体管可等效为一个线性双端口电路。如图Z0212所示。

晶体管的端口电压和电流的关系可表示为如图Z0213所示。

h 参数的定义如图Z0213。

hie、hre、hfe、hoe 这4个参数称为晶体管的等效h 参数，它们的物理意义为：

hie称为输出端交流短路时的输入电阻，简称输入电阻。它反映输出电UCE不变时，基极电压对基极电流的控制能力，习惯上用RbE表示。

hre称为输入端交流开路时的反向电压传输系数，又称内部电压反馈系数。它反映输出电压uCE通过晶体管内部对输入回路的反馈作用，它是一个无量纲的比例系数。

hfe称为输出端交流短路时的电流放大系数，简称电流放大系数。它反映基极电流IB对集电极电流IC的控制能力，即晶体管的电流放大能力，是一个无量纲的数，习惯上用β表示。

hoe称为输入端交流开路时的输出电导，简称输出电导。它反映当IB不变时，输出电压uCE对输出电流的控制能力。单位是西门子（S），习惯上用1／RCE，表示。可见，这四个参数具有不同的最纲，故称为混合（HybRId）参数，记作h 。h参数第一个下标的意义为：I表示输入，R表示反向传输，f表示正向传输，o表示输出；第二个下标E表示共射接法。在使用时应当明确：

（1） 4个h参数都是微变电流与微变电压之比，因此，h参数是交流参数。

（2） 4个h参数都是在Q点的偏导数，因此，它们都和Q点密切相关，随着Q点的变化而变化；

（3） h参数是晶体管在小信号条件下的等效参数。

h参数可以从晶体管的特性曲线上近似求得，也可以用人h参数测试仪直接测出。对一般小功率晶体管，h参数的数量级如图Z0213所示。