ThinPAK,8x8：英飞凌推出适用于高压功率MOSFET的新型无管脚SMD封装
产品特性：
- 占板空间仅为64平方毫米，高度仅为1毫米
- 具备2nH的极低寄生电感
- 其独立的驱动源连接点可以保证干净的栅极信号
- 功率MOSFET
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米（D2PAK的占板空间为150平方毫米），高度仅为1毫米（D2PAK的高度为4.4毫米）。大幅缩小的封装尺寸结合低寄生电感，使设计者能以全新方式有效降低高功率密度应用所需的系统解决方案尺寸。
全新封装采用表面贴装方式，在8x8毫米的无管脚封装内，贴装业界标准TO-220晶粒，并具备金属裸焊盘，便于内部高效散热。其低矮外形便于设计者设计出更薄的电源外壳，满足当今市场对时尚纤巧新品的需求。目前有两家公司可推出这种新封装：英飞凌和意法半导体将推出采用这种创新封装的MOSFET，分别为ThinPAK 8x8（英飞凌）和PowerFLAT™ 8x8 HV（意法半导体），为客户提供不同的优质选择。
英飞凌高压MOS产品线经理Jan-Willem Reynaerts指出：“今天我们与意法半导体合作推出的新型封装，为高压MOSFET的无管脚SMD封装树立了行业新标杆。CoolMOS™ 等硅技术已发展到可高效快速开关的高级阶段。在该阶段，传统的标准过孔封装逐渐成为限制能效和功率密度进一步提升的因素。”
ThinPAK 8x8封装不仅具备2nH的极低寄生电感（D2PAK的寄生电感为6nH）、与D2PAK类似的散热性能，而且其独立的驱动源连接点可以保证干净的栅极信号。因此，ThinPAK 8x8封装可使功率MOSFET实现更快速、高效的开关，更轻松地处理开关行为和电磁干扰。
初期，英飞凌将推出三款采用这种新封装的600V CoolMOS™ 器件：199毫欧（IPL60R199CP）、299毫欧（IPL60R299CP）和385毫欧（IPL60R385CP）。
供货
采用ThinPAK 8x8封装的新器件样品目前已开始提供。量产时间可根据从订货到交货的标准周期确定。
