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NB3N3002/5573:安森美PureEdge高性能时钟产生器


产品特性:NB3N3002

  • 3.3V供电电压
  • 采用0.25μm CMOS技术,相位噪声性能优异
  • 具有四种可供选择的输出频率
  • 集成的1:2扇出缓冲器
  • 采用无铅TSSOP-16封装
  • 分别产生一组和两组差动HCSL输出时钟

应用范围:

  • PCI Express、千兆位以太网(GbE)
  • 双列直插内存模块(FBDIMM)应用

安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)扩展其PureEdge高性能时钟产生产品系列,推出NB3N3002和NB3N5573这两款新器件。

NB3N3002和NB3N5573是3.3伏(V)时钟产生器,生成频率可在25、100、125和200兆赫(MHz)之间选择的主时钟信令等级(HCSL)和亚皮秒(ps)抖动的优质时钟。这些器件非常适合于PCI Express、千兆位以太网(GbE)和双列直插内存模块(FBDIMM)应用。与标准的晶体振荡器和硅基竞争时钟产生器件相比,PureEdge架构提供更高的设计灵活性及更低的系统成本。

NB3N3002生成一组差动HCSL输出时钟,NB3N5573则提供双输出。这两款器件采用先进的0.25微米(μm) CMOS技术,相位噪声性能大幅超越竞争器件,可与昂贵的表面声波(SAW)晶体振荡器相媲美。这些器件以低成本25 MHz晶体生成的高质量时钟具有四种可供选择的输出频率和集成的1:2扇出缓冲器(NB3N5573)。在100千赫(kHz)载波频率偏移处,NB3N5573提供的相位噪声为130 dBc/Hz(每1赫带宽内单边带相位噪声功率与载波功率之比)。

与安森美半导体所有的PureEdge器件相似,这些新的时钟产生器为系统设计人员省下更多的珍贵时序预算,并提供真正的设计灵活性。硅基时钟产生IC,如NB3N3002和NB3N5573本质上比昂贵的晶体振荡器更易于制造,故能降低总体系统成本,并大幅缩短产品上市时间。NB3N5573与功能相竞争的器件ICS557-03引脚兼容,能够替代这器件。在没有采用扩频功能下,NB3N5573提供更佳的抖动性能,使其在不需要同步状态信息(SSM) 下更发挥价值。

NB3N3002和NB3N5573采用5.0 mm × 4.4 mm无铅TSSOP-16封装,每2,500片的批量预算单价为1.80美元。

关键字:时钟产生器  本文链接:http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80000121

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