三星量产第8代3D NAND
11月7日,三星宣布开始批量生产第8代3D NAND存储器。
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新的第8代V-NAND设备具有1Tb容量,以及2400MTps的数据传输速率。三星称其为业界最高的位密度,但没有透露IC的尺寸或实际密度。
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三星声称,与现有相同容量的闪存IC相比,其新一代3D NAND存储器的每晶圆生产率将提高20%,能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。。
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(JSSIA整理)
11月7日,三星宣布开始批量生产第8代3D NAND存储器。
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新的第8代V-NAND设备具有1Tb容量,以及2400MTps的数据传输速率。三星称其为业界最高的位密度,但没有透露IC的尺寸或实际密度。
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三星声称,与现有相同容量的闪存IC相比,其新一代3D NAND存储器的每晶圆生产率将提高20%,能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。。
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