清纯半导体推出新能源车主驱用SiC芯片
近日,国内SiC功率器件企业清纯半导体推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET产品——S1M014120H,并通过了车企和tier1厂商的测试。
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1200V/14mΩ SiC MOSFET晶圆采用S1M014120H的1200V/800A功率模块,可以在更大的栅极驱动电压范围内工作,以适应不同驱动电路的开发需求。其最高允许工作结温为175℃,进一步提升了器件的载流能力,有助于实现更高的功率密度。
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(JSSIA整理)
近日,国内SiC功率器件企业清纯半导体推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET产品——S1M014120H,并通过了车企和tier1厂商的测试。
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1200V/14mΩ SiC MOSFET晶圆采用S1M014120H的1200V/800A功率模块,可以在更大的栅极驱动电压范围内工作,以适应不同驱动电路的开发需求。其最高允许工作结温为175℃,进一步提升了器件的载流能力,有助于实现更高的功率密度。
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