什么是TMR传感器IC？

TMR传感器IC集成了TMR传感器元件和信号处理电路。TMR传感器元件是使用隧道磁阻效应（TMR效应）的磁性传感器元件。室温下的TMR效应是由日本东北大学的宮崎照宣教授于1995年发现的。与传统的霍尔或AMR传感器元件相比，TMR传感器元件是一种新的磁性传感器技术，不易受到温度变化的影响，具有极高磁灵敏度和高电阻的特点。

磁阻效应（MR效应）是电阻随磁场变化而变化的现象。发生在磁性材料（例如铁、镍或钴）中的一种现象。MR效应的特性会随磁性材料内部的磁化方式而变化。

电流通过内置在IC中的TMR传感器元件以放大电位差输出，并在IC内部的电路中处理信号，以根据磁束密度输出信号。

TMR传感器IC种类繁多，适用于不同的应用。以下是TMR传感器IC类型的主要例子：TMR线性传感器（模拟或数字输出）；与磁场强度成正比输出信号的传感器；TMR开关传感器（数字输出）获得ON/OFF信号；TMR角度传感器，根据磁铁旋转角度获得输出信号；TMR电流传感器，根据流经导体和其他传感器的电流量获得输出信号。